Numer produktu producenta:
STB30N65DM6AG
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STB30N65DM6AG-DG
Opis:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
999 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12993616
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STB30N65DM6AG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
28A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
223W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-STB30N65DM6AGTR
497-STB30N65DM6AGDKR
497-STB30N65DM6AGCT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI3415BS-TP
Interface
MCG40N10Y-TP
Interface
RX3P10BBHC16
NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
