Numer produktu producenta:
IRF100P219AKMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF100P219AKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 203A (Tc) 3.8W (Ta), 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Magazyn:
383 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12989793
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF100P219AKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
StrongIRFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
203A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12020 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP005537805
448-IRF100P219AKMA1
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
TPW5200FNH,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
