Numer produktu producenta:
TPW5200FNH,L1Q
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TPW5200FNH,L1Q-DG
Opis:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Magazyn:
4822 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12989816
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TPW5200FNH,L1Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
U-MOSVIII-H
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2200 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DSOP Advance
Pakiet / Walizka
8-PowerWDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TPW5200FNH,L1QDKR
264-TPW5200FNHL1QTR-DG
264-TPW5200FNH,L1QCT
264-TPW5200FNHL1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR
264-TPW5200FNH,L1QTR-DG
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
NTMFS006N12MCT1G
POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN
SIHFPS40N50L-GE3
POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
TK19A50W,S5X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
