Numer produktu producenta:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IQDH29NE2LM5CGATMA1-DG
Opis:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
N-Channel 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Magazyn:
12943334
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IQDH29NE2LM5CGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
25 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
75A (Ta), 789A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1.448mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
254 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
17000 pF @ 12 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TTFN-9-U02
Pakiet / Walizka
9-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
IQDH29
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR
448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR
448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IQD020N10NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQDH45N04LM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQDH35N03LM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR