Numer produktu producenta:
IQD020N10NM5CGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IQD020N10NM5CGATMA1-DG
Opis:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 26A (Ta), 273A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Magazyn:
5000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12943335
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IQD020N10NM5CGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
26A (Ta), 273A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.05mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 159µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9500 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TTFN-9-U02
Pakiet / Walizka
9-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
IQD020
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IQD020N10NM5CGATMA1CT
448-IQD020N10NM5CGATMA1TR
448-IQD020N10NM5CGATMA1DKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IQDH45N04LM6CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQDH35N03LM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
IQD009N06NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR