Numer produktu producenta:
IPSA70R1K4CEAKMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPSA70R1K4CEAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 5.4A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Magazyn:
12805101
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPSA70R1K4CEAKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
225 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
53W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
IPSA70
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001605398
2156-IPSA70R1K4CEAKMA1
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPSA70R1K4P7SAKMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IPSA70R1K4P7SAKMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.24
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF3706
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
IRF3711STRR
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IPP076N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
