Numer produktu producenta:
IRF3706
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF3706-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 77A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
12805102
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF3706 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
HEXFET®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
77A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.8V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2410 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
88W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRF3706
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF3711STRR
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IPP076N12N3GXKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
IRFR9024NPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
