Numer produktu producenta:
IPS65R1K0CEAKMA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPS65R1K0CEAKMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Magazyn:
12805312
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPS65R1K0CEAKMA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ CE
Status produktu
Last Time Buy
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
68W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3-342
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Podstawowy numer produktu
IPS65R1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPS65R1K0CEAKMA2
SP001724356
IPS65R1K0CEAKMA2-DG
Pakiet Standard
1,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPS70R1K4P7SAKMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.18
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRLR3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
IPI80CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
IRF3704SPBF
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK