Numer produktu producenta:
IPS70R1K4P7SAKMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 22.7W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Magazyn:
12809857
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPS70R1K4P7SAKMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
4.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
158 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
22.7W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO251-3
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
IPS70R1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
SP001499706
448-IPS70R1K4P7SAKMA1
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TP2424N8-G
MOSFET P-CH 240V 316MA TO243AA
IRFHM8330TRPBF
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
IRFU5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A IPAK
