Numer produktu producenta:
IPD65R190C7ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD65R190C7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
3671 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800572
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD65R190C7ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ C7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD65R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD65R190C7ATMA1DKR
IPD65R190C7ATMA1TR
SP000928648
IPD65R190C7ATMA1CT
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPA60R099P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3