Numer produktu producenta:
IPA60R099P6XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA60R099P6XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Magazyn:
487 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800575
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA60R099P6XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ P6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3330 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA60R099
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPA60R099P6XKSA1
SP001114654
448-IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P6XKSA1-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
