Numer produktu producenta:
IPB80N08S406ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB80N08S406ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Magazyn:
12805311
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB80N08S406ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB80N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
INFINFIPB80N08S406ATMA1
2156-IPB80N08S406ATMA1
SP000984296
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTA160N10T7
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTA160N10T7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.33
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPS65R1K0CEAKMA2
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO251-3
IRLR3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
IPI80CN10N G
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
