IPB65R190C7ATMA1
Numer produktu producenta:

IPB65R190C7ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPB65R190C7ATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 13A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Magazyn:

12855755
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPB65R190C7ATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™ C7
Status produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 290µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1150 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
72W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB65R

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IPB65R190C7ATMA1-DG
SP000929424
IPB65R190C7ATMA1DKR
IPB65R190C7ATMA1TR
IPB65R190C7ATMA1CT
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
TK20G60W,RVQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TK20G60W,RVQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
R6020ENJTL
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9101
NUMER CZĘŚCI
R6020ENJTL-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.15
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
SIHB22N60ET5-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
SIHB22N60ET5-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.79
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IPB65R190C7ATMA2
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
630
NUMER CZĘŚCI
IPB65R190C7ATMA2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.25
Rodzaj zastąpienia
Direct
NUMER CZĘŚCI
IPB60R120P7ATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2950
NUMER CZĘŚCI
IPB60R120P7ATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.47
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
renesas-electronics-america

RJK6011DJE-00#Z0

MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD

renesas-electronics-america

UPA2813T1L-E1-AT

MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON

onsemi

NTMTS0D6N04CTXG

MOSFET N-CH 40V 533A

onsemi

NTD5414NT4G

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK