Numer produktu producenta:
IPB35N10S3L26ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPB35N10S3L26ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Magazyn:
5487 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803245
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPB35N10S3L26ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
26.3mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 39µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-3
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IPB35N10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPB35N10S3L26ATMA1TR
SP000776044
448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR
IPB35N10S3L26ATMA1-DG
448-IPB35N10S3L26ATMA1CT
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
IPC302N08N3X1SA1
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK