Numer produktu producenta:
IPC302N08N3X1SA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPC302N08N3X1SA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL
Szczegółowy opis:
N-Channel 80 V 1A (Tj) Surface Mount Sawn on foil
Magazyn:
12803248
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPC302N08N3X1SA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Bulk
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
80 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Vgs (maks.)
-
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
-
Temperatura
-
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
Sawn on foil
Pakiet / Walizka
Die
Podstawowy numer produktu
IPC302N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-IPC302N08N3X1SA1
SP000476912
IPC302N08N3X1SA1-DG
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFR4105ZTRL
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPC65R070C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IRF7822TRPBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO