IPB034N06N3GATMA1
Numer produktu producenta:

IPB034N06N3GATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPB034N06N3GATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Magazyn:

12800491
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPB034N06N3GATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
167W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO263-7
Pakiet / Walizka
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Podstawowy numer produktu
IPB034N

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IPB034N06N3 GDKR-DG
IPB034N06N3 GTR
IPB034N06N3 GDKR
SP000397990
IPB034N06N3 G
IPB034N06N3GATMA1TR
IPB034N06N3GATMA1DKR
IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3G
IPB034N06N3GATMA1CT
IPB034N06N3 GTR-DG
IPB034N06N3 GCT-DG
IPB034N06N3 G-DG
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IPB034N06N3GATMA2
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IPB034N06N3GATMA2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.57
Rodzaj zastąpienia
Parametric Equivalent
NUMER CZĘŚCI
IPB017N06N3GATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9000
NUMER CZĘŚCI
IPB017N06N3GATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.54
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPD30N06S2L13ATMA4

MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31

infineon-technologies

IPD122N10N3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

infineon-technologies

BUZ31

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3

infineon-technologies

IPD90N04S403ATMA1

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3