Numer produktu producenta:
IPD90N04S403ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD90N04S403ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 90A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Magazyn:
9976 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12800502
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD90N04S403ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 53µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
66.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5260 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3-313
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD90
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP000671630
IPD90N04S403ATMA1CT
IPD90N04S4-03-DG
IPD90N04S403ATMA1DKR
IPD90N04S4-03
INFINFIPD90N04S403ATMA1
IPD90N04S403ATMA1TR
2156-IPD90N04S403ATMA1
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB180N04S302ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
IPB03N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
IPD80R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3