Numer produktu producenta:
IPA65R045C7XKSA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA65R045C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-FP
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Magazyn:
11 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12803792
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA65R045C7XKSA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
CoolMOS™ C7
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.25mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4340 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
35W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA65R045
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001080092
2156-IPA65R045C7XKSA1
IFEINFIPA65R045C7XKSA1
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPD90P04P4L04ATMA1
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
IPB80N06S2L06ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
IRF6636
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET