IPD60R600E6ATMA1
Numer produktu producenta:

IPD60R600E6ATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

IPD60R600E6ATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Magazyn:

12803799
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IPD60R600E6ATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ E6
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
63W (Tc)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD60R

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IPD60R600E6ATMA1-DG
448-IPD60R600E6ATMA1TR
INFINFIPD60R600E6ATMA1
SP001117094
2156-IPD60R600E6ATMA1
Pakiet Standard
2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
TK11P65W,RQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
485
NUMER CZĘŚCI
TK11P65W,RQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.74
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STD12N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4977
NUMER CZĘŚCI
STD12N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.59
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
TK8P60W,RVQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TK8P60W,RVQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.97
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FCD850N80Z
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
15910
NUMER CZĘŚCI
FCD850N80Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.96
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTY8N65X2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
20
NUMER CZĘŚCI
IXTY8N65X2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.22
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPB180N10S402ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

infineon-technologies

IRF3808PBF

MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB

infineon-technologies

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

infineon-technologies

IRFU4105

MOSFET N-CH 55V 27A IPAK