Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IPD60R600E6ATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPD60R600E6ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12803799
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPD60R600E6ATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
CoolMOS™ E6
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
63W (Tc)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IPD60R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
IPD60R600E6ATMA1
Karta danych HTML
IPD60R600E6ATMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IPD60R600E6ATMA1-DG
448-IPD60R600E6ATMA1TR
INFINFIPD60R600E6ATMA1
SP001117094
2156-IPD60R600E6ATMA1
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK11P65W,RQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
485
NUMER CZĘŚCI
TK11P65W,RQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.74
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STD12N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4977
NUMER CZĘŚCI
STD12N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.59
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
TK8P60W,RVQ
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
TK8P60W,RVQ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.97
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FCD850N80Z
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
15910
NUMER CZĘŚCI
FCD850N80Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.96
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTY8N65X2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
20
NUMER CZĘŚCI
IXTY8N65X2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.22
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IRF3808PBF
MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
IPI70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
IRFU4105
MOSFET N-CH 55V 27A IPAK