Numer produktu producenta:
BSC670N25NSFDATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC670N25NSFDATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 24A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Magazyn:
8474 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12799565
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC670N25NSFDATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
67mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2410 pF @ 125 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC670
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSC670N25NSFDATMA1DKR
BSC670N25NSFDATMA1TR
BSC670N25NSFDATMA1CT
BSC670N25NSFDATMA1-DG
SP001107234
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
