Numer produktu producenta:
IPA50R650CEXKSA2
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IPA50R650CEXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 4.6A (Tc) 27.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Magazyn:
12799566
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IPA50R650CEXKSA2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
CoolMOS™ CE
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
13V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
342 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
27.2W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TO220-3-FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
IPA50R
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-IPA50R650CEXKSA2
INFINFIPA50R650CEXKSA2
SP001217232
Pakiet Standard
500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK9A55DA(STA4,Q,M)
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
50
NUMER CZĘŚCI
TK9A55DA(STA4,Q,M)-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.74
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPA040N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 69A TO220-FP
BSS127H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IMW120R350M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
