BSC160N10NS3GATMA1
Numer produktu producenta:

BSC160N10NS3GATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

BSC160N10NS3GATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Magazyn:

9 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12851540
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

BSC160N10NS3GATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.8A (Ta), 42A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
6V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1700 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC160

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
BSC160N10NS3 G-DG
BSC160N10NS3 G
BSC160N10NS3 GINDKR-DG
SP000482382
BSC160N10NS3GATMA1DKR
BSC160N10NS3GATMA1CT
BSC160N10NS3 GINDKR
BSC160N10NS3G
BSC160N10NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC160N10NS3 GINTR-DG
BSC160N10NS3 GINCT-DG
BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3GATMA1TR
BSC160N10NS3GATMA1CT-DGTR-DG
Pakiet Standard
5,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
PJQ5476AL_R2_00001
PRODUCENT
Panjit International Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
639
NUMER CZĘŚCI
PJQ5476AL_R2_00001-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.28
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
STL60N10F7
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2720
NUMER CZĘŚCI
STL60N10F7-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.51
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IRFH5210TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4891
NUMER CZĘŚCI
IRFH5210TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.55
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDMS3662
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
29781
NUMER CZĘŚCI
FDMS3662-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.19
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD19534Q5A
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
17145
NUMER CZĘŚCI
CSD19534Q5A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.35
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

MVGSF1N02LT1G

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3

infineon-technologies

IRFS3006TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

onsemi

FQPF47P06YDTU

MOSFET P-CH 60V 30A TO220F-3

onsemi

FCPF650N80Z

MOSFET N-CH 800V 8A TO220F