Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
FCPF650N80Z
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FCPF650N80Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Magazyn:
986 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12851558
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FCPF650N80Z Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tube
Seria
SuperFET® II
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 800µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1565 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
FCPF650
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
FCPF650N80Z
Karta danych HTML
FCPF650N80Z-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
ONSONSFCPF650N80Z
2156-FCPF650N80Z-OS
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK8A65D(STA4,Q,M)
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
53
NUMER CZĘŚCI
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.92
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STF12NK80Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
STF12NK80Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.70
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IPA60R650CEXKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
383
NUMER CZĘŚCI
IPA60R650CEXKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.42
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
R6008ANX
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
R6008ANX-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.64
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
R6007KNX
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
R6007KNX-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFU220BTU-AM002
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
FDS7064N
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
IRF530N_R4942
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
FDP6035AL
MOSFET N-CH 30V 48A TO220-3