Numer produktu producenta:
BSC016N03MSGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSC016N03MSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 28A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Magazyn:
14757 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12848435
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSC016N03MSGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
28A (Ta), 100A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13000 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-1
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
BSC016
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSC016N03MS G
BSC016N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC016N03MSGATMA1DKR
BSC016N03MSGATMA1TR
BSC016N03MSGINDKR-DG
BSC016N03MSGINTR
BSC016N03MSGINCT
BSC016N03MSG
BSC016N03MSGATMA1CT
SP000311502
BSC016N03MSGINTR-DG
BSC016N03MSGXT
BSC016N03MSGINCT-DG
BSC016N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC016N03MSGINDKR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RS1E350BNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
810
NUMER CZĘŚCI
RS1E350BNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.65
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD17312Q5
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6167
NUMER CZĘŚCI
CSD17312Q5-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.89
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
PSMN1R7-30YL,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2587
NUMER CZĘŚCI
PSMN1R7-30YL,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.63
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDMS7650
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
21652
NUMER CZĘŚCI
FDMS7650-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.24
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
CSD17556Q5BT
PRODUCENT
Texas Instruments
ILOŚĆ DOSTĘPNA
942
NUMER CZĘŚCI
CSD17556Q5BT-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.20
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
AOB254L
MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
FDY301NZ
MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
