Numer produktu producenta:
FDD7N25LZTM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDD7N25LZTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 250 V 6.2A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
9394 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12848445
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDD7N25LZTM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
UniFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
635 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
56W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FDD7N25
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDD7N25LZTMTR
FDD7N25LZTMDKR
FDD7N25LZTMCT
FDD7N25LZTM-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDN371N
MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
AOW2918
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
