Numer produktu producenta:
AUIRF1018E
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
AUIRF1018E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Magazyn:
12801971
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AUIRF1018E Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tube
Seria
HEXFET®
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
79A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
AUIRF1018
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
SP001519520
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSZ165N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
IPP040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
