Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
BSZ165N04NSGATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
BSZ165N04NSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 8.9A (Ta), 31A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12801975
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSZ165N04NSGATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 31A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
840 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
BSZ165N04NSGATMA1
Karta danych HTML
BSZ165N04NSGATMA1-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
BSZ165N04NSGINTR-DG
BSZ165N04NSGINDKR-DG
IFEINFBSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NS G
BSZ165N04NSG
BSZ165N04NSGATMA1DKR
BSZ165N04NSGINDKR
SP000391523
BSZ165N04NSGINCT-DG
BSZ165N04NSGATMA1CT
BSZ165N04NSGINCT
BSZ165N04NSGXT
2156-BSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NSGINTR
BSZ165N04NSGATMA1TR
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDMC15N06
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3000
NUMER CZĘŚCI
FDMC15N06-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.63
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RQ3G100GNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
112698
NUMER CZĘŚCI
RQ3G100GNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
BSC054N04NSGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
31911
NUMER CZĘŚCI
BSC054N04NSGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.33
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IPP040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2020
GANFET N-CH 60V 90A DIE
IRF7413ZTR
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO