BSZ165N04NSGATMA1
Numer produktu producenta:

BSZ165N04NSGATMA1

Product Overview

Producent:

Infineon Technologies

Numer części:

BSZ165N04NSGATMA1-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 8.9A (Ta), 31A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

Magazyn:

12801975
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

BSZ165N04NSGATMA1 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
-
Seria
OptiMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8.9A (Ta), 31A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
840 pF @ 20 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TSDSON-8
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
BSZ165N04NSGINTR-DG
BSZ165N04NSGINDKR-DG
IFEINFBSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NS G
BSZ165N04NSG
BSZ165N04NSGATMA1DKR
BSZ165N04NSGINDKR
SP000391523
BSZ165N04NSGINCT-DG
BSZ165N04NSGATMA1CT
BSZ165N04NSGINCT
BSZ165N04NSGXT
2156-BSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NSGINTR
BSZ165N04NSGATMA1TR
Pakiet Standard
5,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
FDMC15N06
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3000
NUMER CZĘŚCI
FDMC15N06-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.63
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
RQ3G100GNTB
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
112698
NUMER CZĘŚCI
RQ3G100GNTB-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.14
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
BSC054N04NSGATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
31911
NUMER CZĘŚCI
BSC054N04NSGATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.33
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPP040N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3

epc

EPC2051

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

epc

EPC2020

GANFET N-CH 60V 90A DIE

infineon-technologies

IRF7413ZTR

MOSFET N-CH 30V 13A 8SO