Numer produktu producenta:
G400P06S
Product Overview
Producent:
Goford Semiconductor
Numer części:
G400P06S-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 6A SOP-8
Szczegółowy opis:
P-Channel 6A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Magazyn:
4000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12988793
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
G400P06S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Goford Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
TrenchFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Funkcja FET
Standard
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
4822-G400P06STR
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TK16G60W5,RVQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
IMT65R072M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
GT060N04T
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
