Numer produktu producenta:
TK16G60W5,RVQ
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
TK16G60W5,RVQ-DG
Opis:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Magazyn:
2000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12988809
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TK16G60W5,RVQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
DTMOSIV
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15.8A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 790µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 300 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
264-TK16G60W5,RVQCT
264-TK16G60W5RVQTR-DG
264-TK16G60W5RVQTR
264-TK16G60W5,RVQDKR
264-TK16G60W5,RVQTR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IMT65R072M1HXUMA1
SILICON CARBIDE MOSFET
GT060N04T
MOSFET N-CH 40 60A TO-220
CEH2315-HF
MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP
