Numer produktu producenta:
FQPF7N65CYDTU
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FQPF7N65CYDTU-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Magazyn:
1572 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946671
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQPF7N65CYDTU Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1245 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
52W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F-3 (Y-Forming)
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FQPF7N65CYDTU
FAIFSCFQPF7N65CYDTU
Pakiet Standard
366
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDA16N50-F109
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDA18N50
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQP8N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7