Numer produktu producenta:
FQPF630
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FQPF630-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Magazyn:
20715 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12946690
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQPF630 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
400mOhm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FQPF630
FAIFSCFQPF630
Pakiet Standard
464
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
FDD8782
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FQP2N80
MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3