Numer produktu producenta:
FDMS8027S
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FDMS8027S-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Magazyn:
18985 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12947123
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDMS8027S Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
PowerTrench®, SyncFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
18A (Ta), 22A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1815 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-PQFN (5x6)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDMS8027S
FAIFSCFDMS8027S
Pakiet Standard
347
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PHB18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
FDFM2P110
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
FDP7030BL
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6