Numer produktu producenta:
FDP100N10
Product Overview
Producent:
Fairchild Semiconductor
Numer części:
FDP100N10-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
2970 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12947141
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDP100N10 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Opakowanie
Bulk
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7300 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2156-FDP100N10
ONSONSFDP100N10
Pakiet Standard
159
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8542.39.0001
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF6641TRPBF
IRF6641 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQU5N60CTU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150