Numer produktu producenta:
ZXMN2A04DN8TC
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
ZXMN2A04DN8TC-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 20V 5.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Magazyn:
12905064
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ZXMN2A04DN8TC Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.9A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA (Min)
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22.1nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1880pF @ 10V
Moc - Max
1.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Podstawowy numer produktu
ZXMN2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF7103TRPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9567
NUMER CZĘŚCI
IRF7103TRPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.29
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
FDS9926A
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9224
NUMER CZĘŚCI
FDS9926A-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.21
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSS138DW-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SO
HTMN5130SSD-13
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SO
