Numer produktu producenta:
IRF7103TRPBF
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
IRF7103TRPBF-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 50V 3A 2W Surface Mount 8-SO
Magazyn:
9567 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12823010
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IRF7103TRPBF Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
HEXFET®
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
50V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
290pF @ 25V
Moc - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Podstawowy numer produktu
IRF71
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
*IRF7103TRPBF
IRF7103PBFDKR
Q7499123
IRF7103PBFTR
2832-IRF7103TRPBF
SP001562004
IRF7103PBFCT
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF7389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SO
MCB40P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD
HCT802
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD