Numer produktu producenta:
DMTH10H032SPSWQ-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMTH10H032SPSWQ-13-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
Magazyn:
12993071
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMTH10H032SPSWQ-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
544 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.2W (Ta), 38W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount, Wettable Flank
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerDI5060-8 (Type UX)
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
DMTH10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMTH10H032SPSWQ-13
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN31D5UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
ISC015N04NM5ATMA1
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
ISC028N04NM5ATMA1
40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
