Numer produktu producenta:
ISC0805NLSATMA1
Product Overview
Producent:
Infineon Technologies
Numer części:
ISC0805NLSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 71A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-46
Magazyn:
2594 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12993099
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
ISC0805NLSATMA1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Infineon Technologies
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
OptiMOS™ 5
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Ta), 71A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 40µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2200 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PG-TDSON-8-46
Pakiet / Walizka
8-PowerTDFN
Podstawowy numer produktu
ISC0805N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
448-ISC0805NLSATMA1TR
448-ISC0805NLSATMA1DKR
448-ISC0805NLSATMA1CT
SP005430376
Pakiet Standard
5,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
GCMS040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
SIHP15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SQJ174EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
