Numer produktu producenta:
DMT64M1LCG-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT64M1LCG-13-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Szczegółowy opis:
N-Channel 65 V 16.7A (Ta), 67.8A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)
Magazyn:
13000703
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT64M1LCG-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
65 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2626 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMT64M1LCG-13TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP2067LSS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMNH6010SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
