Numer produktu producenta:
DMP2067LSS-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMP2067LSS-13-DG
Opis:
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 5.4A (Ta), 12.9A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Magazyn:
13000709
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMP2067LSS-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5.4A (Ta), 12.9A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
2.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15.5 nC @ 8 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1575 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.2W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SO
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
DMP2067
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
31-DMP2067LSS-13TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMNH6010SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
RS6N120BHTB1
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
