Numer produktu producenta:
DMT6013LFDF-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMT6013LFDF-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 10A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Magazyn:
12884891
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
1UWO
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMT6013LFDF-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1081 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
900mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakiet / Walizka
6-UDFN Exposed Pad
Podstawowy numer produktu
DMT6013
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMP3100L-7
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
DMT10H010LCT
MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB
DMN1053UCP4-7
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
