Numer produktu producenta:
DMG4N60SK3-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMG4N60SK3-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO252 T&R
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Magazyn:
12884910
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMG4N60SK3-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
532 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
48W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252-3
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
DMG4
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMG4N60SK3-13DITR
DMG4N60SK3-13DICT
DMG4N60SK3-13DIDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FQD5N60CTM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
FQD5N60CTM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.42
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXTY2N65X2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXTY2N65X2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.81
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN2046U-13
MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23
DMP4013SPSQ-13
MOSFET P-CH 40V 11A PWRDI5060
DMP2047UCB4-7
MOSFET P-CH 20V 4.1A U-WLB1010-4
