Numer produktu producenta:
FQD5N60CTM
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FQD5N60CTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
12839140
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FQD5N60CTM Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
QFET®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
670 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
FQD5N60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FQD5N60CTMDKR
FQD5N60CTMTR
FQD5N60CTMCT
FQD5N60CTM-DG
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FDP80N06
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FQP13N06
MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3
FDD3860
MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK