Numer produktu producenta:
DMN2013UFDE-7
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN2013UFDE-7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 10.5A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Magazyn:
3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12888027
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN2013UFDE-7 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25.8 nC @ 8 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2453 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
660mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type E)
Pakiet / Walizka
6-PowerUDFN
Podstawowy numer produktu
DMN2013
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
DMN2013UFDE-7DICT
DMN2013UFDE-7DITR
DMN2013UFDE7
DMN2013UFDE-7DIDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN2011UFDE-13
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
DMNH6021SK3-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
DMN4034SSS-13
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
