Numer produktu producenta:
DMN2011UFDE-13
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMN2011UFDE-13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 11.7A (Ta) 610mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
Magazyn:
12888032
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMN2011UFDE-13 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11.7A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3372 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
610mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
U-DFN2020-6 (Type E)
Pakiet / Walizka
6-PowerUDFN
Podstawowy numer produktu
DMN2011
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMNH6021SK3-13
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
DMN4034SSS-13
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
DMG4468LFG-7
MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
