DMG7N65SCT
Numer produktu producenta:

DMG7N65SCT

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DMG7N65SCT-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)

Magazyn:

12883977
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DMG7N65SCT Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
Automotive, AEC-Q101
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
886 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB (Type TH)
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
DMG7N65

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80PM
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80PM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
4.60
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
299
NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.31
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

DMN7022LFGQ-13

MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333

diodes

DMN4008LFG-13

MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333

diodes

DMN3071LFR4-7R

MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN

diodes

DMN2500UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN