Numer produktu producenta:
DMG7N65SCT
Product Overview
Producent:
Diodes Incorporated
Numer części:
DMG7N65SCT-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Magazyn:
12883977
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
DMG7N65SCT Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
-
Seria
Automotive, AEC-Q101
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
886 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB (Type TH)
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
DMG7N65
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Affected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80PM
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80PM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
4.60
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
299
NUMER CZĘŚCI
IXFP7N80P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.31
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
DMN7022LFGQ-13
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
DMN4008LFG-13
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
DMN3071LFR4-7R
MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
