Numer produktu producenta:
IXFP7N80P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFP7N80P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
299 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12905891
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFP7N80P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Polar
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1890 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IXFP7N80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRFL9110TRPBF
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
ZVN4206AV
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247
