DCX123JU-7-F
Numer produktu producenta:

DCX123JU-7-F

Product Overview

Producent:

Diodes Incorporated

Numer części:

DCX123JU-7-F-DG

Opis:

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Magazyn:

234811 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890299
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DCX123JU-7-F Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Diodes Incorporated
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
2.2kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
200mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-363
Podstawowy numer produktu
DCX123

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
DCX123JU-FDICT
DCX123JU-FDITR
DCX123JU7F
DCX123JU-FDIDKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0075
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1908(T5L,F,T)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1711JE(TE85L,F)

TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2708JE(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2904FE,LF

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6