Numer produktu producenta:
RN1908(T5L,F,T)
Product Overview
Producent:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer części:
RN1908(T5L,F,T)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Magazyn:
2986 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12890301
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RN1908(T5L,F,T) Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
22kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
47kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
200mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
US6
Podstawowy numer produktu
RN1908
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RN1908(T5LFT)CT
RN1908(T5LFT)TR
RN1908(T5LFT)DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PUMH16,115
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
5117
NUMER CZĘŚCI
PUMH16,115-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.03
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RN1711JE(TE85L,F)
TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH
RN2708JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN2904FE,LF
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
