Numer produktu producenta:
AOTF2610L
Product Overview
Producent:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numer części:
AOTF2610L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Through Hole TO-220F
Magazyn:
12850373
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
kO55
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
AOTF2610L Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
9A (Ta), 35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2007 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220F
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
AOTF2610
Karta katalogowa i dokumenty
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-AOTF2610L
785-1638-5
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
TK40A06N1,S4X
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
480
NUMER CZĘŚCI
TK40A06N1,S4X-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.42
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F
FDS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
BSO130P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
