Numer produktu producenta:
FDS6673BZ
Product Overview
Producent:
onsemi
Numer części:
FDS6673BZ-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
Szczegółowy opis:
P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
5548 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12850376
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
FDS6673BZ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
onsemi
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
PowerTrench®
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4700 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
FDS6673
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
FDS6673BZ-DG
Q3295237
ONSONSFDS6673BZ
FDS6673BZTR
2156-FDS6673BZ-OS
FDS6673BZCT
FDS6673BZDKR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
BSO130P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
FDMS86350
MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56
IRFS750A
MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F
